RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Compara
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Puntuación global
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
18.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
63
En -125% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.7
1,447.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
28
Velocidad de lectura, GB/s
3,231.0
18.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,447.3
15.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
478
3601
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Elpida EBJ81UG8EFU0-GNL-F 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link