RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Compara
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
29
En 14% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.6
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.9
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
29
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
13.6
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
9.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2051
2419
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Team Group Inc. Xtreem-LV-2133 4GB
Kingston KHX1866C10S3L/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 9905402-174.A00G 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston K000MD44U 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link