RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Comparez
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Note globale
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Note globale
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
38
Autour de -12% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.2
9.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
34
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
9.1
11.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2099
2468
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB Comparaison des RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link