RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Comparez
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Note globale
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
122
Autour de 68% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14
9.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
5.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
122
Vitesse de lecture, GB/s
14.0
9.4
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
5.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2489
1411
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB Comparaison des RAM
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
Corsair CMZ32GX3M4X1600C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
AMD R948G3206U2S 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Kingston 9905403-038.A00G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link