RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
34
Autour de 21% latence réduite
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.5
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.4
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
34
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
20.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
16.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2251
3616
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link