RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Comparez
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Note globale
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Note globale
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
31
Autour de 10% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.2
17.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.9
11.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
31
Vitesse de lecture, GB/s
18.2
17.1
Vitesse d'écriture, GB/s
11.5
12.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3067
3409
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link