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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Comparez
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Note globale
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Note globale
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.2
17.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
28
Autour de -22% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.0
11.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
23
Vitesse de lecture, GB/s
18.2
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
11.5
13.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3067
3004
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
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A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology C 8GB
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