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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Note globale
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
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Raisons de considérer
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
35
Autour de -30% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.5
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.8
7.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
27700
17000
Autour de 1.63 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
27
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
18.5
Vitesse d'écriture, GB/s
7.9
15.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
27700
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-27700, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
no data
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2126
3539
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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