RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
30
Autour de 20% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
7.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
19200
Autour de 1.11 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
30
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
7.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
21300
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
2208
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB Comparaison des RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
King Tiger Technology Tigo-2133Mhz-8G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link