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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
38
Autour de 37% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
10.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.5
16
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
38
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
10.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
25600
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
2829
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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