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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Comparez
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Note globale
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Note globale
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
38
Autour de 29% latence réduite
Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.2
11.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.3
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
38
Vitesse de lecture, GB/s
11.5
14.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.5
10.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1756
2148
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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