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Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Comparez
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB vs Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Note globale
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Note globale
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
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Raisons de considérer
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
40
Autour de -21% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.6
14.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
8.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
33
Vitesse de lecture, GB/s
14.4
17.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.8
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2363
2910
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB Comparaison des RAM
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Kingston 99U5474-036.A00LF 4GB
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Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
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Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
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Kingston 9905624-008.A00G 8GB
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