RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Comparez
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Note globale
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Note globale
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
40
Autour de -33% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.9
8.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
30
Vitesse de lecture, GB/s
13.6
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.3
12.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2035
3044
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Kingston KNWMX1-ETB 4GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link