RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Comparez
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
16
51
Autour de -219% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
22.3
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
21.2
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
16
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
22.3
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
21.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2687
3952
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link