PNY Electronics PNY 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

PNY Electronics PNY 2GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Note globale
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PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Note globale
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Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    27 left arrow 71
    Autour de 62% latence réduite
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    8.4 left arrow 6.4
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    15.6 left arrow 13.8
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    21300 left arrow 10600
    Autour de 2.01 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics PNY 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    27 left arrow 71
  • Vitesse de lecture, GB/s
    13.8 left arrow 15.6
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    8.4 left arrow 6.4
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • Description
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Timings / Vitesse d'horloge
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    2274 left arrow 1650
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons