RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Comparez
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB vs Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Note globale
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Note globale
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
29
Autour de -26% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17
9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.2
5.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
23
Vitesse de lecture, GB/s
9.0
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
5.7
13.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1274
2935
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB Comparaison des RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link