RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Comparez
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB vs Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Note globale
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Note globale
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
59
Autour de 51% latence réduite
Raisons de considérer
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.2
9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.7
5.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
59
Vitesse de lecture, GB/s
9.0
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
5.7
9.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1274
2181
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB Comparaison des RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link