RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Comparez
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Note globale
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Note globale
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
14.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,123.3
10.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
59
Autour de -69% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
35
Vitesse de lecture, GB/s
4,833.8
14.6
Vitesse d'écriture, GB/s
2,123.3
10.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
731
2560
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FH 2GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link