RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Comparez
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Note globale
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
19.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
69
Autour de -92% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.9
1,857.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
36
Vitesse de lecture, GB/s
4,217.2
19.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,857.7
13.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
668
3351
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB Comparaison des RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
OCZ OCZ3G2000LV2G 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link