RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
13
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
46
Autour de -84% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.5
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
3200
Autour de 5.31 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
25
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
13.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
11.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
17000
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 31 32 33 34 35 36 37
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
2931
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link