RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
14.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
77
Autour de -196% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.6
2,622.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
26
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
14.8
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
9.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
2437
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB Comparaison des RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMSO8GX3M2C1600C11 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link