RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Comparez
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB vs HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Note globale
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Note globale
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.5
15.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.9
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
21300
Autour de 1.2% bande passante supérieure
Raisons de considérer
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
38
Autour de -23% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
31
Vitesse de lecture, GB/s
16.5
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
10.9
9.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
21300
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2829
2713
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB Comparaison des RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link