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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Comparez
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Note globale
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Raisons de considérer
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.6
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
37
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
12.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
2808
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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