RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Comparez
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB vs A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Note globale
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Note globale
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
81
Autour de 52% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.4
7.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
81
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
14.0
Vitesse d'écriture, GB/s
7.4
7.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1770
1634
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5458-001.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology C 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link