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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs AMD R7416G2133U2S 16GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
AMD R7416G2133U2S 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
78
Autour de 67% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
6.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
AMD R7416G2133U2S 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.5
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
78
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
13.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
6.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
1594
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
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Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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