RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Note globale
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
51
Autour de -82% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.3
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.2
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
28
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
17.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
14.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2208
3366
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link