RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Comparez
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Note globale
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Note globale
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
42
Autour de 29% latence réduite
Raisons de considérer
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.1
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.5
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
8500
Autour de 2.51 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
30
42
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
13.1
Vitesse d'écriture, GB/s
6.8
11.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
21300
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1479
2525
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link