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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Comparez
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Note globale
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Note globale
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
45
Autour de 33% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
8500
1900
Autour de 4.47% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
11.7
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.4
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
30
45
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
11.7
Vitesse d'écriture, GB/s
6.8
8.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
1900
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-1900, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
no data
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1479
2387
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