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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Comparez
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Note globale
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Note globale
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.3
7.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.1
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
43
Autour de -10% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
39
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
7.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
6.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1706
1768
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Comparaison des RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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