RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Comparez
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Note globale
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Note globale
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
18
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
870.4
8.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
60
87
Autour de -45% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
87
60
Vitesse de lecture, GB/s
3,155.6
18.0
Vitesse d'écriture, GB/s
870.4
8.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
417
2145
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link