RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Confronto
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.1
8.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.4
14.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
29
Velocità di lettura, GB/s
14.3
15.4
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
8.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2227
2513
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link