RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Confronto
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Punteggio complessivo
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.8
14.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.3
11.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
34
Intorno -31% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
34
26
Velocità di lettura, GB/s
16.8
14.4
Velocità di scrittura, GB/s
11.3
11.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2968
2846
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link