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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
14.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
7.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
17000
Intorno 1.13% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
24
Intorno -4% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
23
Velocità di lettura, GB/s
16.0
14.4
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
7.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
17000
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
2236
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
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