RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
28
Intorno 14% latenza inferiore
Motivi da considerare
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
21.6
16
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
18.2
12.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
19200
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
28
Velocità di lettura, GB/s
16.0
21.6
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
18.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
25600
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
3890
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link