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Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Confronto
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Punteggio complessivo
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
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Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
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Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
39
Intorno -50% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.2
14.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.3
9.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
39
26
Velocità di lettura, GB/s
14.4
18.2
Velocità di scrittura, GB/s
9.8
17.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2600
3938
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
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