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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Confronto
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Punteggio complessivo
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
45
Intorno 27% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.8
14.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
11.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
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Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
45
Velocità di lettura, GB/s
17.8
14.7
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
11.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
25600
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3285
2556
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB Confronto tra le RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
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