RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Confronto
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Punteggio complessivo
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
52
Intorno 37% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.8
10.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
8.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
17000
Intorno 1.51% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Segnala un bug
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
52
Velocità di lettura, GB/s
17.8
10.3
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
8.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
17000
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3285
2390
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link