RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Confronto
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
34
Intorno 18% latenza inferiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.5
12.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.0
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
34
Velocità di lettura, GB/s
12.9
17.5
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
17.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2112
3697
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link