Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB vs Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Punteggio complessivo
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Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB

Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB

Punteggio complessivo
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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Differenze

  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    15.8 left arrow 15.5
    Valore medio nei test
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    38 left arrow 49
    Intorno -29% latenza inferiore
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    12.0 left arrow 11.0
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    49 left arrow 38
  • Velocità di lettura, GB/s
    15.8 left arrow 15.5
  • Velocità di scrittura, GB/s
    11.0 left arrow 12.0
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    25600 left arrow 25600
Other
  • Descrizione
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2534 left arrow 2283
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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