RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Confronto
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
11.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
39
92
Intorno -136% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.1
1,266.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
92
39
Velocità di lettura, GB/s
2,105.4
11.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,266.1
9.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
339
1881
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link