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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Confronto
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Punteggio complessivo
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
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Motivi da considerare
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
92
Intorno -283% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20
2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.0
1,266.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
92
24
Velocità di lettura, GB/s
2,105.4
20.0
Velocità di scrittura, GB/s
1,266.1
17.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
339
3911
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
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