RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Confronto
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Punteggio complessivo
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
11.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
47
71
Intorno -51% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.5
1,322.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
71
47
Velocità di lettura, GB/s
2,831.6
11.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,322.6
13.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
399
2793
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link