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Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Confronto
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Punteggio complessivo
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
51
Intorno 49% latenza inferiore
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.6
13.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
51
Velocità di lettura, GB/s
13.5
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
11.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1932
2687
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
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G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
AMD R744G2400U1S 4GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
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