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Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Confronto
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Punteggio complessivo
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
28
Intorno 18% latenza inferiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
11.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
5.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
23
28
Velocità di lettura, GB/s
11.6
16.1
Velocità di scrittura, GB/s
5.6
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1751
3010
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB Confronto tra le RAM
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
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