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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Confronto
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Punteggio complessivo
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
63
Intorno 60% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
10
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.1
7.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
63
Velocità di lettura, GB/s
16.1
10.0
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
7.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2764
2162
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
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