RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
14.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
19
77
Intorno -305% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
19
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
16.6
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
14.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
3626
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link