RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Confronto
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.9
14.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
19200
Intorno 1.33% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
38
Intorno -12% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.3
10.4
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
34
Velocità di lettura, GB/s
17.9
14.8
Velocità di scrittura, GB/s
10.4
11.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
19200
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3030
2826
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link