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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Confronto
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
16.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
56
Intorno -143% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.8
1,813.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
56
23
Velocità di lettura, GB/s
4,387.7
16.3
Velocità di scrittura, GB/s
1,813.5
10.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
693
2763
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Kingston KP223C-ELD 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
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