RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
39
Intorno 33% latenza inferiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.9
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.0
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
39
Velocità di lettura, GB/s
12.8
14.9
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
15.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
3233
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link