RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Confronto
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
49
Intorno -96% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.8
10.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.8
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
25
Velocità di lettura, GB/s
10.2
16.8
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
12.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2465
2989
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link